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  • 首次发布：全球GaN器件供应商统计（66家）
    作者借助AI完成GaN器件供应商第一版数据整理，此前已覆盖衬底与外延。表格不含代工厂；企业按Fabless与IDM分类，IDM-Line指不自建晶圆厂但自建设计、外延与封测并委外流片；产品按功率、射频、光电分类。详细原始文档已上传知识星球云盘，供会员获取。
    649
    09/22 14:09
    GaN器件
    首次发布：全球GaN器件供应商统计（66家）
  • 双向 GaN：电力电子拓扑创新的核心引擎
    双向GaN器件凭借架构创新和GaN材料特性，实现了双向开关的范式跃迁，带来了全面的性能优势和系统价值。该技术适用于多种应用领域，并有望推动电力电子产业的技术升级和可持续发展目标的实现。然而，面临可靠性验证、成本控制和生态系统完善的挑战。
    354
    07/31 10:25
    GaN器件
  • 双向 GaN：解锁电力电子新拓扑的第三代半导体关键器件
    全球电力电子系统正从硅基时代向宽禁带时代转变，特别是GaN器件因其优越性能在快充、数据中心、工业电源等领域广泛应用。然而，传统双向开关方案存在器件数量多、导通损耗大、驱动复杂等问题。单片集成双向GaN器件克服这些问题，实现了“一颗点点taptap安卓，双向能力”，具有显著的效率提升、系统简化、驱动简化、密度提升、可靠性增强和拓扑解锁等优势。该技术广泛应用于工业自动化、新能源、汽车电子、通信等多个领域，推动电力电子技术进步。
    581
    07/31 10:18
    第三代半导体 开关
  • 电力电子高频化浪潮下，650V GaN 双向开关重塑功率变换架构
    宽禁带半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），正引领电力电子系统向高频高效演进。GaN器件因其出色的开关特性和导通性能，成为下一代高效系统的理想选择。本文介绍了650V GaN双向开关评估板，它作为新型拓扑的快速验证平台，具有极致集成、高效低损、驱动简化、高可靠性和生态完善的优点。该评估板适用于多种应用场景，包括工业电源、新能源、数据中心、充电与电源等领域，助力工程师快速开发高性能电力电子系统。
    404
    07/31 09:38
    宽禁带半导体 GaN器件
  • AMEYA360：罗姆加强GaN功率器件供应能力
    ~融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系~ 中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司(TSMC)的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。
    925
    03/04 15:59
    功率器件 GaN器件
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