GaN器件

• 首次发布：全球GaN器件供应商统计（66家）

  作者借助AI完成GaN器件供应商第一版数据整理，此前已覆盖衬底与外延。表格不含代工厂；企业按Fabless与IDM分类，IDM-Line指不自建晶圆厂但自建设计、外延与封测并委外流片；产品按功率、射频、光电分类。详细原始文档已上传知识星球云盘，供会员获取。

  半导体综研

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  09/22 14:09

  GaN器件

  
• 双向 GaN：电力电子拓扑创新的核心引擎

  双向GaN器件凭借架构创新和GaN材料特性，实现了双向开关的范式跃迁，带来了全面的性能优势和系统价值。该技术适用于多种应用领域，并有望推动电力电子产业的技术升级和可持续发展目标的实现。然而，面临可靠性验证、成本控制和生态系统完善的挑战。

  芯次元玩家

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  07/31 10:25

  GaN器件
• 双向 GaN：解锁电力电子新拓扑的第三代半导体关键器件

  全球电力电子系统正从硅基时代向宽禁带时代转变，特别是GaN器件因其优越性能在快充、数据中心、工业电源等领域广泛应用。然而，传统双向开关方案存在器件数量多、导通损耗大、驱动复杂等问题。单片集成双向GaN器件克服这些问题，实现了“一颗点点taptap安卓，双向能力”，具有显著的效率提升、系统简化、驱动简化、密度提升、可靠性增强和拓扑解锁等优势。该技术广泛应用于工业自动化、新能源、汽车电子、通信等多个领域，推动电力电子技术进步。

  芯次元玩家

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  07/31 10:18

  第三代半导体 开关
• 电力电子高频化浪潮下，650V GaN 双向开关重塑功率变换架构

  宽禁带半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），正引领电力电子系统向高频高效演进。GaN器件因其出色的开关特性和导通性能，成为下一代高效系统的理想选择。本文介绍了650V GaN双向开关评估板，它作为新型拓扑的快速验证平台，具有极致集成、高效低损、驱动简化、高可靠性和生态完善的优点。该评估板适用于多种应用场景，包括工业电源、新能源、数据中心、充电与电源等领域，助力工程师快速开发高性能电力电子系统。

  芯次元玩家

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  07/31 09:38

  宽禁带半导体 GaN器件
• AMEYA360：罗姆加强GaN功率器件供应能力

  ~融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系~ 中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司(TSMC)的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。

  AMEYA360

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  03/04 15:59

  功率器件 GaN器件
• 富特募资5.28亿，将建GaN OBC等项目

  富特科技计划募资5.28亿用于GaN器件新能源车载电源集成产品研发，目标是提高功率密度至6kW/L，OBC平均效率达96.5%，并降低无源器件尺寸，助力国内能源车载电源系统行业发展。

  行家说三代半

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  01/19 10:29

  GaN OBC
• 事关8英寸！2家GaN企业实现新突破

  致能半导体实现8英寸蓝宝石基氮化镓器件量产，新微半导体发布低压GaN工艺平台，多家氮化镓企业展示技术进展与合作机会。

  行家说三代半

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  2025/12/03

  氮化镓 GaN器件

  
• 功率氮化镓市场，迎来黄金时代

  氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，正引领全球科技产业向高效能、低功耗转型。自2025年以来，GaN器件市场快速增长，预计到2030年市场规模将达到约30亿美元，年复合增长率高达42%。中国氮化镓产业从技术验证期迈向规模化商用阶段，头部上市公司通过技术创新与精准布局，推动全球氮化镓竞争话语权提升。GaN器件在消费电子、数据中心、汽车和工业等领域广泛应用，展现强劲的增长潜力。随着8英寸晶圆技术的推进和新材料、新结构的创新，GaN技术将迎来更多应用场景的规模化应用。

  半导体产业纵横

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  2025/11/10

  氮化镓 功率器件

  
• 安森美：已向客户提供垂直GaN器件

  安森美半导体推出垂直氮化镓(vGaN)产品，面向汽车及人工智能领域客户测试700V和1200V器件样品。该技术采用GaN-on-GaN技术，具有更高耐压能力和能效表现，适用于高功率应用场景。公司正研发第二代产品，预计2027年开始产生收入。

  行家说三代半

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  2025/11/07

  安森美 GaN器件

  
• GaN市场，蓄势待发

  台积电宣布停止GaN点点taptap安卓代工，转向先进制程产能布局，GaN市场却持续增长。GaN因其优越特性广泛应用于数据中心、人形机器人和汽车等领域。尽管面临成本和技术挑战，GaN器件的成本有望下降，未来可能超越SiC器件。

  半导体产业纵横

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  2025/09/08

  GaN GaN器件

  
• 65W 高性能磁耦通讯GaN快充方案

  核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS，相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求，晶丰明源通过不断创新，推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。 其中，BP87618采用了晶丰

  大大通

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  2025/08/05

  GaN器件 通讯技术

  
• 英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管

  4月14日，英诺赛科（02577）发布公告，宣布自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品已实现量产。据介绍，该产品凭借其宽禁带特性，在高压高频场景中展现出显著优势，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。

  行家说三代半

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  2025/04/16

  英飞凌 英诺赛科
• 意法半导体65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的电源方案

  意法半导体的 VIPerGaN65D 反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和 USB-PD (电力输送) 快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。 这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN (氮化镓) 晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240

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  2025/03/25

  意法半导体 晶体管

  
• Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

  Nexperia宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-

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  2025/03/19

  bms LED驱动器

  
• PD协议点点taptap安卓：推动快充技术革新的核心引擎

  一、技术定义与标准化架构‌ PD协议点点taptap安卓（Power Delivery）是一种基于USB-IF组织制定的通用充电标准的核心集成电路，通过动态调节电压（5-20V）与电流（最高5A），实现最高100W的电力传输能力‌。其标准化特性打破了品牌私有快充协议的壁垒，成为跨设备兼容性最强的解决方案。例如，XSQ10点点taptap安卓支持USB Type-C接口，可兼容智能手机、笔记本电脑等各类终端设备。 ‌二、核心功能与

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  2025/02/24

  PD协议 GaN器件
• 深入解析 GaN 器件金刚石近结散热技术：键合、生长、钝化生长

  在追求更高功率密度和更优性能的电子器件领域，GaN（氮化镓）器件因其卓越的性能而备受瞩目。然而，随着功率密度的不断提升，器件内部的热积累问题日益严重，成为制约其发展的主要瓶颈。

  DT半导体

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  2025/01/16

  金刚石 散热

  
• 纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管，打造功率密度领先的DC-DC转换器

  直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外，DC-DC转换器对于开发更多具有低压功能的经济节能车型也十分重要。TechInsights1的数据显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预

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  2024/08/16

  英飞凌 转换器

  
• 名古屋大学诺奖团队Nature：GaN新型超晶格结构，为增强GaN器件性能提供选择！

  近日，日本名古屋大学（Nagoya University）的一项新研究发现，将氮化镓（GaN）和镁（Mg）简单热反应就会形成独特的超晶格结构。这是研究人员首次发现可以将二维金属层插入块状半导体中，这有望提高GaN半导体器件性能。同时这项新结构的发现，打开了半导体材料新型掺杂机制和薄膜材料新型形变机制的两扇新窗。研究人员将这一发现称为“大自然的馈赠”，它可能会开辟新的途径并激发该领域更多的基础研究。

  DT半导体

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  2024/07/22

  GaN GaN器件
• 梁剑波教授：金刚石是GaN最好的朋友！实现GaN与金刚石的直接键合，有望解决半导体发热问题

  自从2012年梁剑波教授加入大阪市立大学（2020年，大阪市立大学和大阪府立大学进行合并，更名为日本大阪公立大学）以来，“GaN/金刚石/Ga2O3、键合工艺、界面研究、异质结、界面热阻、热管理……”成为其主页标签。

  DT半导体

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  2024/04/09

  GaN 氮化镓

  
• 降本25%！GaN进军汽车、医疗等市场

  近日，GaN领域新增4起应用案例，涉及汽车、电源及驱动器等。1月25日，据外媒消息，纳微与知名汽车供应商Shinry成立了一个联合研发实验室，旨在加速开发以纳微GaNFast技术为基础的新能源汽车（NEV）电源系统。

  行家说三代半

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  2024/02/23

  GaN 氮化镓

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