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  • 详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制
    共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达
    116
    10/30 10:56
    SiC MOSFET
    详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制
  • 给LLC软启动“降降温”，利用PSoC™ CLB-MACO功能实现LLC启动谐振电流峰值抑制
    高频GaN LLC启动易受谐振电流冲击，传统MCU实时控制不足。英飞凌PSoC Control C3M/P8的CLB-MACO预存PWM启动序列，由硬件自动执行，并借SPS与软件PWM无缝切换。3.3kW GaN LLC用1.6MHz软启动抑制冲击，降低器件应力，无需CPU实时参与。
    162
    09/30 08:48
    LLC psoc
  • 详解Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用：硬件实测与验证
    本文介绍了在无负载 LLC 变换器硬件平台上测试 Cascode SiC JFET 的应用及其性能表现。通过调节电感值和开关电流，展示了不同条件下的开关电流、dv/dt 和总功率损耗的变化。在外接缓冲电容（Cds）的情况下，即使在较高的开关电流下，系统仍保持良好的死区时间和开关特性。研究发现，合理配置缓冲电容可以有效控制关断 dv/dt，优化总损耗，提高系统效率和稳定性。
    469
    07/30 11:14
    LLC SiC JFET
  • 详解Cascode SiC JFET在LLC中的应用：优势与dv/dt 控制
    共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（CJFET）因其高耐压、低导通损耗和高速开关等特点，在LLC谐振变换器中有广泛应用前景。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）可能导致电压过冲、EMI等问题，尤其是在高电流工况下。本文提出了一种通过在器件两端并联电容缓冲电路（C-snubber）来控制dv/dt的方法，从而降低开关损耗。实验结果表明，这种策略在大电流LLC设计中能够有效提升系统效率。此外，文章还探讨了外部Cds对死区时间和dv/dt的影响，为实际应用提供了指导。
    406
    07/08 09:35
    LLC SiC JFET
    详解Cascode SiC JFET在LLC中的应用：优势与dv/dt 控制
  • 1MHz GaN 堆叠 LLC 与平面矩阵变压器核心底层技术深度拆解
    LLC谐振转换器适用于AI高压配电，其软开关特性使高频运行下的效率保持较高水平。然而，在800V高压场景下，传统单级LLC面临功率管电压应力高、次级整流管电流应力大等问题。为此，ST提出了一种创新的堆叠式LLC拓扑架构，通过双LLC串联输入、并联输出的方式，降低了器件应力，并且采用了高频化的宽禁带GaN器件，实现了1MHz的超高开关频率。此外，还优化了PCB平面矩阵变压器的设计，提高了功率密度和电气性能。最后，STM32G4数字高精度控制体系提供了强大的控制能力和全面的安全保护措施。
    1708
    06/25 17:48
    LLC 谐振转换器
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