SPDT开关

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SPDT(Single Pole Double Throw)是单刀双掷开关。

SPDT(Single Pole Double Throw)是单刀双掷开关。收起

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  • 选型坐标系:宽带低损抗辐照开关,ASL3157S 站在哪
    一、三维坐标系:带宽 × 导通电阻 × 抗辐照 把模拟开关放在"带宽 × 导通电阻 × 抗辐照"三维坐标里看:普通工业开关常在带宽与导通电阻间取舍;专用射频开关带宽够但导通电阻与抗辐照未必达标;抗辐照料又常以牺牲带宽为代价。能同时在三个方向拿高分的,凤毛麟角。ASL3157S 以 120MHz 带宽 + 3Ω 导通 + 商业航天级抗辐照,站在少见的交点上。 坐标系的意义是把"宣传参数"翻译成"工程
  • ATR5179 高隔离度射频开关:25dB隔离度下的通道串扰抑制-聚能芯半导体
    在无线通信系统中,收发通道的切换是一个基本而关键的环节。无论是TDD系统中的收发时分复用,还是多天线系统中的信号路由,射频开关的性能都直接影响着整机的插入损耗、隔离度和线性度。ATR5179是一款采用pHEMT GaAs工艺制作的单刀双掷(SPDT)开关单点点taptap安卓,工作频率覆盖20MHz至4GHz。该点点taptap安卓采用单电源供电控制,具有超低的直流功耗,在开启状态下表现出极低的插入损耗。 宽频带覆盖:从20MH
  • HMC1118 非反射式单刀双掷(SPDT)射频开关
    HMC1118是ADI(Analog Devices)推出的一款高性能非反射式单刀双掷(SPDT)射频开关,其工作频率范围覆盖9 kHz至13 GHz,凭借低插入损耗(8 GHz时仅0.68 dB)、高隔离度(8 GHz时达48 dB)及优异的线性度(P1dB达37 dBm,IIP3达62 dBm),可广泛应用于测试测量、卫星通信、军用雷达及5G基站等高频场景,支持正电压控制(0/+3.3 V)与
  • HMC8038单刀双掷(SPDT)射频开关
    HMC8038 是 Analog Devices(ADI)推出的一款高隔离、非反射、0.1–6.0 GHz 硅基单刀双掷(SPDT)射频开关,采用4 mm×4 mm LFCSP表面贴装封装,专为蜂窝/4G/5G基础设施、测试设备、汽车远程信息处理等应用设计。 关键性能 频率范围:0.1–6.0 GHz 插入损耗:0.8 dB @ 4 GHz 隔离度:60 dB @ 4 GHz 回波损耗:18–24
  • MASW-010647 HMIC™ 硅 PIN 二极管端接 SPDT开关20W
    MASW-010647是MACOM推出的一款专为X波段设计的单片端接硅PIN二极管SPDT开关,支持8.0-10.5 GHz频段,可处理>20W CW功率。MASW-010647采用MACOM HMIC™工艺,集成偏置网络,具有0.8 dB低插损、37 dB高隔离度,点点taptap安卓级封装尺寸小、组件少,支持±5V简化偏置,适用于高功率、高性能射频场景。 一、核心参数 频率:8.0–10.5 GHz 连
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