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氮化镓

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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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  • 总投资超80亿元！全球首座12英寸氮化镓工厂宣布开建
    10月27日，英飞凌宣布总投资11亿欧元，在奥地利Villach建设全球首座12英寸氮化镓大规模量产晶圆厂，预计2027年底投产，获欧盟批准3.19亿欧元国家援助。此举将推动GaN从8英寸向12英寸规模化降本，拓展AI数据中心、快充、车规、光伏等应用，并联手英伟达、Enphase、群光电能、BRC Solar、富特科技、零极创新等伙伴。
    120
    10/29 11:28
    碳化硅 氮化镓
  • 中国移动采用低压氮化镓，下一个战场浮现
    中国移动云南公司在红河河口联合研究院、中兴建成全国首个塔柜光伏共构绿色能源微波站，采用低压GaN直流耦合MPPT，解决无市电、无光纤边疆建站难题；光电转换效率约23%，MPPT峰值效率超98.5%，验证GaN基站光伏能源替代优势，打开通信能源增量市场，产业链加速卡位。
    77
    10/28 16:36
    GaN 氮化镓
    中国移动采用低压氮化镓，下一个战场浮现
  • 10万台订单落地，机器人加速导入氮化镓
    氮化镓加速渗透机器人领域。卓誉科技获10万台GaN关节模组订单；英诺赛科与优联智能开发GaN关节模组；英飞凌推出100V GaN电机驱动方案；中科无线半导体、奥思伟尔、世强硬创亦推进相关研发。预计2026至2031年机器人GaN市场复合增速90.04%，2031年规模约3.47亿元。
    267
    10/23 16:24
    机器人 氮化镓
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  • 又有一家氮化镓企业被收购
    10月9日，XMax签署最终协议，以约412.37万美元收购HexaGaN100%股份。HexaGaN主打1200V垂直GaN MOSFET，面向AI数据中心及高压应用。XMax借此进入高压功率半导体，与AI业务协同；白皮书称GaN在AI电源架构加速渗透，多家厂商布局1200V+技术。
    177
    10/16 19:26
    MOSFET GaN
  • 全球氮化镓晶圆衬底供应商统计（35家）
    作者更新了全球GaN晶圆衬底供应商数据，从39家缩减至35家。衬底按材料分为蓝宝石、硅、碳化硅、自支撑GaN四类，按业务模式分自用与外销。详细原始数据文档及近十年半导体产业链供应商数据、行业景气度研报、线上知识讲座等咨询服务已上线知识星球，年费1680元，含数据库云盘同步、资源对接与咨询。
    456
    09/30 10:05
    氮化镓 碳化硅衬底
    全球氮化镓晶圆衬底供应商统计（35家）

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