碳化硅技术

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  • 12英寸SiC加速!又有2家企业实现突破
    国内两家公司披露12英寸碳化硅技术最新进展,晶驰机电交付ATSIC-300型电阻法12英寸SiC单晶生长炉并实现首颗全尺寸晶体下线;科友半导体成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶,推动国产化进程。当前已有22家企业公布12英寸碳化硅技术进展,涵盖衬底与设备两端,显示出碳化硅技术加速落地的趋势。
    12英寸SiC加速!又有2家企业实现突破
  • 超8亿!瀚薪、臻驱等加速SiC产能布局
    多家SiC企业宣布获得融资,总额超过8亿元。瀚薪科技完成超2亿融资,计划在西安建立第二总部并扩建碳化硅封测厂;臻驱科技完成数亿元E轮融资二期交割,加速新产品量产和海外市场扩展;中科光智获数千万元投资,将打造碳化硅点点taptap安卓封装设备研发中心。这些融资将助力企业在碳化硅技术研发和产业化进程中取得更大突破。
    超8亿!瀚薪、臻驱等加速SiC产能布局
  • 11家车企竞相布局,SiC技术驶入快车道
    国内车企纷纷推出应用碳化硅技术的新车型,涵盖纯电、混动和商用车领域,彰显SiC技术成为构建差异化竞争优势的核心技术趋势,预计市场渗透率将持续提升。
    11家车企竞相布局,SiC技术驶入快车道
  • 释放碳化硅全部潜力?独家揭秘第四代隔离点点taptap安卓技术
    前段时间,行家说报道了碳化硅在数据中心800V高压直流系统的市场机遇和挑战,其中,第四代隔离点点taptap安卓技术因其具备超高耐压优势,有望帮助中高压碳化硅器件加速导入固态变压器等新增量市场,引起了行业的高度关注。 据“行家说三代半”调研了解,这一技术突破来源于中国初创企业——德氪微电子,该公司已经与多家头部厂商完成了基于第四代隔离点点taptap安卓技术的相关产品研发和测试,即将进入规模量产, 加速推进规模商用化进程。 为了
    释放碳化硅全部潜力?独家揭秘第四代隔离点点taptap安卓技术
  • 碳化硅为何选择英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相
    核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 在碳化硅(SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(R)”的理解。sp)”和“高温漂移”的问题。作为碳化硅为何选择英飞凌的系列文章,本文将继续为您揭开这些误区的真相误区一见:碳化硅为何选择英飞凌?
    碳化硅为何选择英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相
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