NAND

• 存储涨价进入分化期：DRAM合约价续涨，NAND见顶信号浮现

  三星与铠侠财报亮眼但股价分化，凸显AI景气下的结构性差异。当前HBM与企业级SSD需求强劲、产能吃紧，而PC与手机等消费侧因成本上升面临需求破坏。合约价环比增速放缓使市场更聚焦涨价动能与“二阶导”。未来，长协机制或平滑周期，而消费端反噬及新产能释放是核心不确定性。存储市场已不再是同涨同跌，看清自身所处阵营比判断整体涨跌更重要。

  芯通社

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  6小时前

  dram 存储
• 工业级与车载 SD NAND 怎么选？宽温型号选型与五大场景落地指南

  导语：工业控制和车载场景，是 SD NAND 替代 eMMC 最刚需、也最讲条件的两个战场。-40℃~85℃ 宽温怎么选？T-BOX 用哪家品牌？本文从宽温型号选型方法出发，逐个拆解五大落地场景的判断依据。 一、工业场景和消费场景的根本差别 先说清为什么工业级不能直接用消费级。 消费级 eMMC 的工作温度是 0-70℃，擦写寿命 500-3000 次（TLC）。而工控设备要7×24 长期运行，日

  xiaodianzii

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  10/22 15:36

  NAND 车载电子系统
• HBF到底是什么？把NAND做成“高带宽内存”，Sandisk想解决 AI推理的容量墙

  HBF是SanDisk面向AI推理的High Bandwidth Flash，用大容量NAND通过高度并行、CBA键合与先进封装实现1.6TB/s带宽，目标在HBM与SSD之间新增高带宽大容量内存层。它更适合读取为主的模型权重和MoE专家，而非替代HBM；KV Cache、训练及真实有效带宽、延迟、耐久仍需验证。最终价值取决于降低$/token。

  老虎说芯

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  10/19 16:52

  HBM NAND

  
• SD NAND 替代 eMMC 可行吗，哪些场景可以直接换？

  一、为什么现在考虑替代方案 当前，AI 大模型需求爆发正引发全球存储点点taptap安卓结构性短缺。原厂将大部分产能转向 HBM、企业级 SSD 等高毛利产品，导致 4GB-32GB eMMC 全面减产。 具体来看： • 交期：4GB/8GB eMMC 拉长至 26-52 周，部分型号已断供 • 价格：Q1 涨幅超 140%，低容量 Flash 累计涨幅超 300% • 产能：TrendForce 预测 2026

  xiaodianzii

  436

  10/17 11:20

  NAND EMMC
• 韩国半导体协会重估中韩存储差距：NAND差1年、DRAM差2年、HBM差3年

  韩国半导体行业协会报告首次量化中韩存储技术差距：NAND约1年、DRAM约2年、HBM约3年。长江存储凭Xtacking架构升至NAND全球第三，长鑫存储DRAM份额约10%，中国存储正从跟跑转向自主创新竞争。

  江城智库

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  10/10 09:39

  半导体行业 dram

  
• NAND：“不限价”的存储长约，在改写谁的议价权？

  苹果与NAND闪存供应商签署长期供应协议，预示存储行业供需关系转向卖方主导。随着AI服务器需求增长和消费级存储缺口扩大，存储点点taptap安卓价格持续上涨，预计将持续至2027年甚至更久。苹果的让步反映了其对稳定供应的需求，推动了存储行业的涨价趋势。

  证券之星

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  09/14 14:29

  存储点点taptap安卓 NAND

  
• 戴尔科技财报：AI产业的天花板在哪

  当多数企业还在为经济不确定性焦虑时，戴尔科技用一份财报证明了AI基建时代的持续增长。截至2026年7月31日的2027财年第二季度，戴尔营收469.7亿美元，同比增长58%；净利润41.3亿美元，同比暴增逾两倍。更令市场沸腾的是，公司将全年营收指引大幅上调250亿美元至1920亿美元，盘后股价大涨8%。 业绩狂奔的双引擎 这轮增长并非AI的独角戏。核心引擎基础设施解决方案集团营收317.8亿美元，

  曹顺程

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  09/02 08:36

  AI点点taptap安卓 算力

  
• 并行NAND存储的容错机制与寿命优化工程实践

  NAND Flash因其高密度、低成本优势成为嵌入式存储的主流选择，但它的物理特性决定了它并非"即插即用"的可靠介质。与NOR Flash不同，NAND Flash存在位翻转、读干扰、擦写寿命有限等先天性问题——这些问题不解决，存储数据可能在数月甚至数周内出现不可恢复的错误。以MKPV1G08IT-AFX这颗采用TSOP-48封装的1Gb SLC NAND点点taptap安卓为载体，从ECC纠错、读干扰防护、磨损

  MK米客方德

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  09/01 19:12

  存储 NAND
• 砸422亿！铠侠拟新建NAND工厂

  日本半导体公司铠侠计划投资1万亿日元建设新型存储器工厂，以应对AI领域对高性能存储器的需求增长。铠侠将在岩手县北上市新建第三座生产工厂，大规模生产NAND闪存，预计2029年或2030年后投产。此举旨在增强日本国内半导体生产能力，保障经济安全。铠侠近期已开始向AI数据中心市场提供性能提升的新一代NAND闪存产品。

  点点taptap安卓说 IC TIME

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  08/29 09:16

  NAND
• 恒烁股份：存储老将，AI新兵

  在半导体周期的起伏中，存储点点taptap安卓无疑是弹性最大的板块之一。继行业头部企业交出亮眼答卷后，又一家深耕NOR Flash领域的科创板公司恒烁股份，凭借行业东风与自身布局，在2026年上半年实现了业绩的惊人一跃。 从亏损到盈利1.4亿 8月25日，恒烁股份发布的2026年半年报数据显示，公司上半年实现营业收入5.28亿元，同比激增203.2%；归母净利润达到1.4亿元，较去年同期的亏损7078万元实现强势

  曹顺程

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  08/26 08:00

  AI MCU

  
• 普冉股份：从“小而美”到“大而强”

  2026年上半年，普冉股份营收39.59亿元，同比增长336.67%；归母净利润8.27亿元，同比增长1929.65%；毛利率攀升至51.15%的历史峰值。作为一个长期关注半导体工艺和设计的工程师，我更想拆开这份财报的外壳，看看里面藏了哪些数字之外的东西。 双工艺平台：SONOS+ETOX NOR Flash领域，业界主流玩家如华邦、旺宏、兆易创新普遍采用浮栅ETOX工艺结构。普冉走了一条差异化路

  曹顺程

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  08/19 09:49

  存储 晶圆

  
• LGA封装SD NAND的PCB Layout指南：等长布线、包地处理、GND焊盘为什么推荐"梅花"

  SD NAND 这类小封装存储点点taptap安卓，画原理图的时候大家都觉得挺简单——几根线拉一拉、电源加上去完事。但真到了 PCB Layout 阶段，才发现这才是坑最多的地方。LGA 封装焊盘全在底部，看不见摸不着，量产阶段不良率突然飙起来，十有八九是 Layout 和焊接工艺的问题，不是点点taptap安卓本身。这篇把米客方德参考设计里 Layout 和贴片的内容整理一下，说点能直接落地的建议。 数据线等长：不是美观问题，

  MK米客方德

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  08/17 17:31

  NAND LGA
• 江波龙，不止于存储模组厂

  2026年8月10日，江波龙披露的2026年半年度报告显示利润暴增至百亿规模。市场自然有声音将其简单归结为“不过是踩中了存储点点taptap安卓涨价的风口，靠前期备货赚了差价”。这种看法并非空穴来风，甚至能在财报中找到直接证据——公司产品毛利率飙升至59.08%，同比大增45.8个百分点。在存储行业，毛利率与晶圆价格高度正相关，这确实是“低价备货、高价出货”周期红利的典型特征。 然而，如果仅仅停留于此，我们可能会

  曹顺程

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  08/11 08:54

  dram 存储

  
• 层数不再是王炸，存储大厂集体换了打法

  FMS 2026展示了存储行业向多路线发展的趋势，三星、SK海力士和铠侠分别采用了晶圆键合、HBF和CXL等新技术路线，以应对AI时代内存与存储瓶颈。主控点点taptap安卓厂商也纷纷就位，支持PCIe 6.0 SSD的规模化量产。

  全球半导体观察

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  08/10 23:48

  dram 存储
• 三星发布新一代3D DRAM和400层NAND

  三星电子在FMS 2026上发布新一代3D DRAM技术和超高堆叠NAND闪存，展示新型高带宽内存(zHBM)和高性能NAND解决方案(zNAND-O)，大幅提升带宽和能效，适用于AI加速器。同时推出第十代V-NAND原型，提高密度和性能。

  点点taptap安卓说 IC TIME

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  08/09 14:06

  NAND 3D DRAM
• 抗辐照存储模块设计解析：天硕存储TID、SEL 防护与卫星在轨验证体系

  宇航级存储模组是什么？这个定义首先指向一个根本问题：什么样的存储系统才能被称为“宇航级”？与地面存储设备不同，宇航级存储模组（宇航级SSD）必须在无人维护、无法物理接触的条件下，持续承受高能粒子辐射、极端温度循环与真空环境的长期考验。一旦存储系统失效，轻则导致科学观测数据永久丢失，重则引发整星功能中断。作为抗辐照存储器的核心载体，其设计逻辑需要将点点taptap安卓级加固、介质管理与系统级容错三者有机融合。 一、

  天硕国产存储技术站

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  08/08 09:00

  存储 SSD
• 存储巨头亮剑PCIe 6.0 SSD，企业级爆发、消费级要等多久？

  企业级SSD加速落地，PCIe 6.0产品已全面面向企业级市场，多家存储原厂率先推出，而消费级市场还需等待更多主控点点taptap安卓和平台支持。

  全球半导体观察

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  08/06 16:45

  SSD NAND
• 从HBM4到G9 NAND：拆解美光（Micron）的AI内存与存储技术栈

  Micron推出多款新产品和技术，包括1γ DRAM、HBM4、SOCAMM2、G9 NAND、PCIe 6.0 SSD和QLC NAND，涵盖了AI服务器所需的高带宽内存、低功耗内存池、高速NAND闪存和大容量SSD解决方案。这些产品的发布标志着Micron正从传统的存储位元销售转向设计数据层级，以满足AI系统对不同层次内存的需求。然而，内存行业的资本密集性和供需错配仍然存在，需要持续关注量产良率、堆叠技术和QLC的稳定性等问题。

  老虎说芯

  1444

  08/06 00:00

  NAND HBM4
• 从工业存储到AI数据湖：拆解闪迪的NAND技术栈

  闪迪作为独立NAND闪存公司，业务涵盖数据中心SSD、PC与游戏主机SSD、汽车和工业嵌入式存储等多个领域。其制造模式结合了先进NAND的规模经济与产品定义能力，同时强调架构创新，如CBA技术。数据中心产品注重高性能与高容量的分层设计，特别是UltraQLC平台的应用。工业与汽车存储强调可预测性和耐用性，而HBF技术则着眼于AI推理领域的高带宽存储解决方案。

  老虎说芯

  1766

  08/03 16:19

  存储 NAND
• SK海力士业绩“炸裂”却不及预期：存储从周期走向成长

  当“暴增557%”与“不及预期”这两个截然相反的标签贴在SK海力士同一份财报上时，全球半导体投资者的焦虑与兴奋被同时点燃了。 2026年7月29日，SK海力士交出了一份足以载入史册的季度成绩单：营收79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元，净利润93.92万亿韩元，均创历史新高。然而，这组数据的每一项，都比韩国证券分析师的共识预期低了约4万亿至5万亿韩元。这种“完美的缺憾”，在资本市场掀起了

  曹顺程

  2563

  07/29 08:26

  AI dram

  

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