SiC晶圆

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  • 12大封装SiC功率模块选型指南:650-1700V全电压,千瓦至兆瓦级全覆盖
    SiC MOSFET器件凭借禁带宽度宽、临界击穿场强高(是硅的10倍以上)、导热系数大等材料优势,在高压、高频、高温场景中展现出显著的性能优势。与Si IGBT相比,全SiC模块的开关损耗可降低50%以上,系统电能转换效率可提升至98%以上。 然而,SiC材料的高频高速开关特性也对封装提出了远高于硅器件的挑战。封装不仅决定安装方式和散热路径,还直接影响功率回路的寄生电感、栅极回路的稳定性以及模块在
  • 理想与芯联合作背后的几点冷思考
    芯联集成和理想汽车在2026年9月3日共同宣布了8英寸SiC晶圆下线仪式,并签署新一轮战略合作协议。此次合作标志着国产SiC产业链首次实现了衬底、晶圆制造、车企和模块制造商之间的全面整合。然而,真正的考验在于接下来四个季度的良率表现、衬底分配和i系列交付数量。 理想汽车采用“用户需求牵引+技术针对性研发”的方式,与芯联进行深入合作,共同攻克高温KGD、栅氧可靠性等问题。芯联则利用产线迭代优势换取长期利用率。这种合作模式被称为“虚拟IDM”,即理想负责点点taptap安卓设计和系统验证,芯联负责制造和规模化生产,而天岳半导体独家供应衬底材料,苏州斯科负责模块封装。 尽管如此,合作仍然面临一些风险和挑战,包括衬底集中度风险、良率折价阶段以及定价权问题。短期内,芯联需要证明8英寸SiC晶圆的良率和成本控制能力;中期来看,i系列纯电销量将是决定因素;长期而言,则取决于12英寸SiC和液相法衬底的发展趋势。 总的来说,这次合作验证了“fab+车企虚拟IDM”模式在8英寸窗口期的有效性,但也尚未完全摆脱良率折价和衬底卡脖子的风险。最终的答案将在2027年的交付数据和财报中揭晓。
  • 台基股份:SiC晶圆/封测项目加速落地
    台基股份投资建成6英寸超高压晶圆生产线,深耕第三代碳化硅半导体技术,布局SiC封测项目,积极拓展SiC和GaN第三代半导体业务,预计未来将持续攻坚前沿工艺并实现订单有效突破。
  • 3条SiC晶圆线密集推进
    三星电子重启8英寸SiC晶圆代工线,目标2028年量产;X-FAB投入6.85亿元扩建SiC及微系统产能,现有产能达1万片/月;茂矽电子6英寸SiC晶圆线下半年小量量产,目标月产能3000片。
  • 碳化硅SiC MOS短路特性研究
    碳化硅 ;MOSFET ;短路特性 ;短路保护,di/dt;SiC功率器件
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