MOSFET

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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • JSM20NP06D N 沟道 + P 沟道互补对管 MOSFET
    在设计一块中小功率的同步降压电路时,很多工程师会反复问同一个问题:功率级要用两颗MOSFET,一上(高边)一下(低边),能不能用一颗点点taptap安卓就搞定? 答案是肯定的。杰盛微(JSMSEMI)推出的 JSM20NP06D,就是一颗把N沟道和P沟道两颗功率MOSFET同时集成进 TO-252-4 封装的双通道互补型器件。 在设计一块中小功率的同步降压电路时,很多工程师会反复问同一个问题:功率级要用两颗MOS
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    共源共栅碳化硅结型场效应晶体管(Cascode SiC JFET,简称 CJFET)兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低(0−12 V 栅极驱动)等优势,在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而,其关断时较高的电压变化率(dv/dt)易激发持续振铃,导致电压过冲、电磁干扰(EMI),极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下,初级侧开关电流往往较大(例如 750 V 器件可达
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    功率MOSFET并非理想开关,需警惕ESD栅氧击穿、漏源尖峰雪崩、ID(max)误导、栅源瞬变击穿、SOA线性区超限及降额不足。设计应留电压裕度,按RDS(on)与热阻评估电流,优化布局、驱动和非对称Rg,平衡可靠性与效率。
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