晶体管

• 年底冲刺服务器DDR5 RDIMM：长鑫 4F² 第六代平台完成工程样片验证

  长鑫科技在第三季度业绩交流会中表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。 按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。此前长鑫在公开演讲中表示，预计年底将面向应用难度最高的

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  1小时前

  CPU 晶体管

  
• 意法半导体扩充高能效集成功率器件产品阵容，推出 MasterGaN7

  意法半导体进一步扩充 MasterGaN 集成晶体管与驱动器产品阵容，推出全新 MasterGaN7 器件。该器件内置额定最大电流为 6A 的 650V 增强型 GaN 晶体管。新品可帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用的能效与功率密度。 MasterGaN7 将两个 650V GaN 晶体管以半桥方式连接，并与高压高频栅极驱动器集成于 QFN 封装中；其引脚排

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  10/29 11:38

  意法半导体 晶体管

  
• 国芯聚势启新篇——2026中国工博会“国芯展”高峰论坛成功举行

  第26届中国国际工业博览会开幕首日，由上海市集成电路行业协会、东浩兰生会展公司、上海现代企业经营管理研究会联合主办的“芯启新质生产力，链筑全球新格局”集成电路高峰论坛，在国家会展中心（上海）洲际酒店举行。700余位来自政府部门、学术界和产业链领军企业的代表出席论坛。 本届论坛是“国芯展”的核心活动。“国芯展”作为本届中国工博会全新升级的独立专业展，以“芯链工业，强芯筑基”为主题，3万平方米展馆汇聚

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  10/14 07:53

  集成电路 eda

  
• 从6F²到4F²：长鑫科技官宣年底推出新一代DDR5 RDIMM

  据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来就启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件。长鑫在2021年发布了我国大陆地区首篇4F²架构相关的论文，并在2023年、2025年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。

  中国电子报

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  10/12 16:33

  dram 晶体管

  
• Ampleon（安谱隆）3.3–5.0 GHz晶体管怎么选？GaN与LDMOS型号解析

  Ampleon（安谱隆）3.3–5.0 GHz晶体管怎么选？GaN与LDMOS型号解析 搜索Ampleon（安谱隆）3.3–5.0 GHz晶体管的人，通常已经不是在了解“晶体管是什么”，而是在找一颗能够放进现有射频链路的具体器件。 尤其是5G基站、mMIMO、射频功率放大器项目，BOM里可能只留下一个Ampleon料号，或者设计阶段只确定了3300 MHz、3500 MHz、3700 MHz甚至4

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  09/18 14:46

  晶体管
• 点点taptap安卓知识科普：第2章 点点taptap安卓如何工作

  本文介绍了半导体行业的基础知识，特别是关于晶体管、逻辑门、组合电路、时序电路、模拟电路、CPU 和 GPU 的工作原理及其相互关系。文章详细解释了晶体管的基本工作原理，并展示了如何通过逻辑门和组合电路构建更复杂的电路。接着介绍了模拟电路的作用以及如何将模拟信号转换为数字信号。然后讲述了 CPU 如何执行指令，包括指令集、流水线和分支预测等概念。最后提到了 GPU 在并行计算中的优势及其在 AI 训练中的应用。

  半导体综研

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  09/07 15:07

  晶体管 逻辑门

  
• Ampleon（安谱隆）1.4–2.2 GHz晶体管选型及型号推荐

  Ampleon（安谱隆）1.4–2.2 GHz晶体管选型及型号推荐 做1.8GHz、2.0GHz、2.1GHz附近的射频功放，器件选型往往不是简单看一个“最大功率”。实际设计时，频段、增益、效率、线性度、封装方式，以及后续Doherty架构是否方便实现，都会影响最终方案。 Ampleon（安谱隆）的1.4–2.2 GHz晶体管，就是针对这一频段形成的一组射频功率器件产品线。官方将其定位于无线基础设

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  08/26 10:32

  通信 晶体管
• 晶体管达林顿光耦：赋能现代工业高效稳定运行的核心隔离驱动器件

  现代工业正朝着智能化、自动化、高效化方向快速迭代，从工业自动化生产线、智能装备制造，到新能源发电、化工生产、矿山开采等各类工业场景，都离不开各类电子器件的底层支撑。工业生产环境复杂多变，面临高温、高湿、强电磁干扰、重载运行、工况多变等多重挑战，对电子器件的隔离防护、驱动能力、可靠性、适配性提出严苛要求。晶体管达林顿光耦融合晶体管达林顿结构与光电隔离技术，凭借强驱动能力、高效电气隔离、抗干扰性强、稳

  腾恩科技

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  07/27 16:48

  光耦 晶体管
• 从“韬定律”与“0.7纳米点点taptap安卓”谈起——逻辑和晶体管折叠路向何方

  后摩尔时代，传统点点taptap安卓性能提升路径逼近物理极限，急需架构革新和三维堆叠技术。华为提出的“韬（τ）定律”强调通过系统、点点taptap安卓、电路、器件多层次协同优化，尤其是应用“逻辑折叠”技术，实现低时延、低能耗和高性能。IBM发布0.7nm埃米级工艺，采用NanoStack垂直晶体管堆叠架构，实现了晶体管密度翻倍，标志着三维堆叠进入埃米制程时代。国内原创的FFET倒装堆叠晶体管技术因其独特双面结构设计，展现出突出的技术潜力，为器件级三维堆叠提供了优质解决方案。FFET技术打破了传统单面器件架构的桎梏，为全层级三维集成提供了坚实器件支撑。随着这套技术体系不断完善，产业有望迈入器件、电路、点点taptap安卓、系统协同立体演进的全三维时代。

  赵元闯

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  07/06 23:28

  晶体管 点点taptap安卓架构
• 意法半导体新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用

  700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑

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  06/05 11:24

  意法半导体 晶体管

  
• 音频变压器的非线性失真机制与主观听感关联

  音频变压器在专业录音、Hi-Fi重放及电子管放大器中不仅是信号耦合元件，更因其独特的非线性失真特性而成为“音色调色板”。相较于运放或分立晶体管电路的硬削波失真，变压器磁芯的B-H曲线非线性会产生以偶次谐波为主的软失真，这在主观听感上常被描述为“温暖”、“厚实”或“模拟味”。本文从物理机理出发，分析音频变压器非线性失真的产生过程、谐波分布规律、磁芯材料的差异，并探讨失真特征与主观听感的关联，为音频设

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  06/05 10:34

  放大器 晶体管
• 脉冲 I‑V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现

  在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。 相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，尤其

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  04/30 12:26

  MOSFET IGBT

  
• Tektronix 助力二维材料器件与点点taptap安卓研究与创新

  二维材料凭借其原子级厚度、无悬挂键的表面以及优异的电学和光电特性，正成为延续和超越摩尔定律的核心候选材料。其最新发展趋势主要体现在以下几个方面： 1)面向“More Moore”的极致尺寸微缩与新架构（CFET/MCT）：在亚2纳米甚至1纳米节点，传统的硅基晶体管面临严重的短沟道效应和迁移率退化。二维半导体（如MoS2、WSe2等）由于即使在原子级厚度下仍能保持良好的静电控制和高迁移率，被视为理想

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  04/23 09:47

  存储器 晶体管

  
• 一文读懂现代GPU架构：从晶体管到AI算力的硬核拆解

  现代GPU的设计通过数十亿晶体管和分层嵌套的计算单元实现了惊人的算力增长，从早期的游戏画面到当前的AI训练和科学模拟，GPU已成为不可或缺的核心组件。其独特的SIMT架构使得大量并行任务高效执行，而先进的显存技术和散热系统则确保了稳定可靠的性能表现。未来，随着新技术的应用，GPU将继续推动计算能力的革新。

  歪睿老哥

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  04/20 12:23

  GPU AI算力

  
• 晶体管达林顿光耦：核心特性驱动的技术优势与应用价值

  晶体管达林顿光耦作为光电耦合器件重要分支，融合达林顿晶体管高电流放大特性与光耦电气隔离功能，通过内部复合晶体管结构与优化封装工艺，而非简单功能叠加，在电流驱动、绝缘隔离、低功耗等方面实现性能突破，广泛适配工业控制、电力电子、汽车电子等领域的严苛需求。以下聚焦五大核心特性，解析其如何破解传统光耦瓶颈，彰显技术价值。 高电流增益强化驱动能力 普通光耦输出电流有限，驱动继电器、电磁阀等中等功率执行器件需

  腾恩科技

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  04/11 08:39

  光耦 晶体管
• 低功耗晶体管|如何实现超陡亚阈值摆幅

  亚阈值摆幅（SS）是制约点点taptap安卓性能的关键因素，尤其在高性能计算领域。传统MOSFET受限于玻尔兹曼分布，SS存在不可突破的60 mV/dec理论极限，导致动态功耗随算力提升呈指数级恶化。本文介绍了几种突破此极限的技术方案：负电容（NC）晶体管**：通过引入铁电材料实现负电容效应，降低体因子，突破玻尔兹曼极限。

  Semlsee

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  04/10 14:14

  晶体管 负载电容

  
• 低压GaN转换器栅极驱动和测量

  作者：Kurk Mathews，高级应用经理 Luis Onofre Lazaro，应用工程师 摘要 本文讨论了应用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)时，对栅极电压进行精准控制和对栅极参数进行高精度测量的必要性。 引言 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率

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  04/03 10:35

  GaN 转换器

  
• 浙江大学+西南大学 | 基于ReS₂/Si的偏振突触晶体管：突触可塑性赋能偏振比增强

  浙江大学和西南大学的研究团队开发了一种基于ReS₂/Si异质结的结型场效应突触晶体管，利用ReS₂的各向异性实现偏振响应，并结合synaptic的半易失特性增强偏振信号处理。该器件在眩光抑制和指纹识别等应用中表现出色，为下一代基于神经形态视觉的光多维感知系统提供了新思路。

  Semlsee

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  03/27 10:50

  晶体管
• 晶体管达林顿光耦：电站稳定运行的隔离防护核心

  电站作为能源供给核心枢纽，其发电机组、高压开关、励磁系统等需在高电压、强电磁、高负荷严苛环境下精准联动。信号传输失误或设备联动故障可能引发大面积停电，危及能源安全。晶体管达林顿光耦凭借高电流放大倍数、强绝缘隔离、抗干扰传输等核心优势，成为破解电站信号隔离与精准控制难题的关键部件，既实现高压电路与控制回路安全隔离，又保障指令信号稳定传输，以下解析其核心作用。 隔绝高压电路的电位窜扰 电站高压配电系统

  腾恩科技

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  03/21 14:10

  光耦 晶体管
• 群光电能采用英飞凌CoolGaN G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN™ G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓（GaN）功率半导体如何加速向更紧凑、更节能的充电解决方案转型，从而使主流计算设备实现更小的尺寸和更好的可持续性。 笔记本适配器 这款新适配器设计方案的

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  03/13 10:00

  英飞凌 GaN

  

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