氧化镓

• 融资降温？第三代半导体只是不再乱撒钱

  2026年国内第三代半导体融资趋于理性，国资与产业资本主导，资金向产品送样、客户验证和小批量交付集中。碳化硅仍为融资核心，大额投向衬底、晶圆、功率模块及上游设备耗材；氮化镓聚焦单晶衬底与器件早期产业化；氧化镓等超宽禁带材料加速布局。行业正从概念孵化迈入车规、算力高端功率器件商业落地。

  化合物半导体市场

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  10/08 19:33

  碳化硅 第三代半导体
• 两部门发文：推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展

  9月15日工信部、发改委发布电子信息制造业“十五五”规划，提出到2030年规上营收超30万亿元、研发投入强度3.5%。规划聚焦集成电路全链条攻关与先进封装、三维集成，推动SiC/GaN等宽禁带提质升级和氧化镓、金刚石等超宽禁带产业化，并布局先进材料、光电共封装、新型存储与先进计算，提升自主可控能力。

  DT半导体

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  09/16 18:19

  金刚石 宽禁带半导体
• 资本疯狂围猎氧化镓，是拐点还是泡沫？

  2026年8月，杭州镓仁半导体和富加镓业相继宣布完成新一轮融资，标志着氧化镓材料从实验室走向大规模产业化。富加镓业采用垂直布里奇曼法，率先实现12英寸氧化镓单晶制备，成本显著降低；镓仁半导体则通过铸造法降低成本，批量交付6英寸氧化镓衬底。氧化镓因其更高的禁带宽度和更低的成本潜力，吸引了众多投资者的关注。尽管面临散热、p型掺杂和产业链生态缺失等问题，中国企业在大尺寸和低成本方面具有竞争优势，有望在未来几年内引领氧化镓产业发展。

  碳化硅内参

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  08/19 16:02

  半导体材料 氧化镓
• 数亿元！杭州半导体材料创企获新融资，浙大教授创办

  杭州镓仁半导体有限公司完成数亿元A轮融资，主要用于氧化镓产业化项目，包括支持点点taptap安卓客户验证和扩大衬底及外延量产产能。公司自研铸造法氧化镓单晶生长技术，拥有自主知识产权，并已掌握全链条核心技术，提供氧化镓衬底和籽晶。产品应用于电力电子器件等领域，特别是8英寸氧化镓单晶与衬底及同质外延片为全球首发。

  芯东西

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  08/15 20:47

  半导体材料 氧化镓
• 氧化镓国产并跑时代：第四代半导体的发展机遇与落地挑战

  北京昌龙智芯半导体有限公司（简称“昌龙智芯”）总部落地北京顺义科创产业园，依托本地氧化镓衬底上游资源与新能源汽车下游产业优势布局业务。公司采用 IDM 垂直一体化制造模式，专注氧化镓外延材料、高压功率器件工艺研发、晶圆加工生产、代工与销售，商业模式部分对标氮化镓行业龙头英诺赛科。产业端联动国内氧化铝、金属镓资源龙头打通产业全链路链，携手头部封测企业，完善下游应用落地配套。

  点点taptap安卓揭秘

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  08/12 09:55

  氧化镓 第四代半导体材料

  
• 氧化镓再拓新应用！镓仁半导体推出光导开关专用半绝缘衬底

  氧化镓因其超宽禁带和高击穿场强，成为光导开关的理想衬底材料。杭州镓仁半导体公司推出的半绝缘氧化镓衬底，具备良好晶体质量和电学性能，已在实际器件中验证其优越性。此产品不仅满足高耐压和低漏电需求，还支持定制化设计，推动氧化镓材料在脉冲功率器件领域的发展。

  DT半导体

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  08/03 16:37

  氧化镓 衬底
• 氧化镓是什么？

  氧化镓（Ga₂O₃）作为一种超宽禁带半导体，因其高带隙（4.8~4.9 eV）而受到广泛关注。它在功率电子器件和紫外探测领域有潜在应用。氧化镓的优势在于其理论性能卓越，BFOM值远高于SiC和GaN，且可通过传统熔体生长技术大规模制备低成本衬底。

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  07/27 16:44

  半导体材料 氧化镓
• 郑州大学团队新成果：实现氧化镓/金刚石高质量异质外延

  郑州大学金刚石材料与器件团队提出金属辅助外延生长策略，成功实现高质量、高取向β-Ga₂O₃薄膜在金刚石衬底上异质外延，构筑出兼具高界面结合强度和高界面热导率的新型异质界面，为氧化镓功率器件散热难题提供新解决方案。

  DT半导体

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  07/20 18:02

  金刚石 氧化镓
• 超宽禁带新突破：氧化镓实现高质量金刚石薄膜直接生长

  美国德克萨斯州立大学研究团队提出利用Q-carbon中间层实现β-Ga₂O₃表面高质量金刚石薄膜直接生长的新方案，通过优化激光能量密度和控制熔体再生长速度，形成具有良好界面结合能力和高成核密度的Q-carbon层，进而促进高质量金刚石薄膜的生长并降低应力，提高附着力和晶体质量。此方法为β-Ga₂O₃基高功率器件的前侧热管理提供了有效解决方案，有望推动相关器件性能提升。

  DT半导体

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  05/18 17:42

  金刚石 氧化镓
• 9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！

  武汉九峰山实验室成功研制出击穿电压高达9.02kV的氧化镓横向MOSFET，标志着国内在超高压氧化镓功率器件领域达到国际先进水平。此次突破不仅展示了高性能的器件结构设计，还强调了使用国产材料的重要性，提升了自主可控能力。此外，九峰山实验室在氧化镓器件的专利申请量领先全球，并对外提供衬底、外延片和流片服务，推动行业共同发展。 然而，国内氧化镓产业仍面临诸多挑战，包括材料量产难题、器件研发滞后、产业链配套不足以及资本投入不足等问题。尽管如此，氧化镓具有巨大的市场潜力，尤其是在超高压领域的应用前景广阔。因此，应吸取碳化硅的经验教训，注重材料工艺、产业链配套和应用场景的全面发展，以实现氧化镓的商业化成功。

  碳化硅内参

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  04/11 09:55

  MOSFET 氧化镓

  
• 宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述

  氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上高压器件的重要候选材料。同时，氧化镓在深紫外探测等光电子领域同样展现出良好的应用前景。 然而，氧化镓也存在两个关键瓶颈：一是其本征热导率较低（通常小于30 W/m·K），在高功

  DT半导体

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  04/04 18:36

  金刚石 氧化镓
• 国际首次！12英寸氧化镓单晶问世

  富加镓业在氧化镓领域取得重大突破，成功制备出12英寸氧化镓单晶，刷新全球纪录，推动了我国超宽禁带半导体材料的发展。氧化镓因其独特的物理和化学性质，在功率电子和深紫外光电领域展现出巨大潜力。随着国内外企业的不断努力和技术进步，氧化镓的应用场景日益丰富，正逐渐走向产业化。

  DT半导体

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  04/04 18:34

  氧化镓
• 【第四代半导体】深度分析氧化镓（Ga2O3）差异化技术路线与商业应用前景

  氧化镓作为一种新兴的第四代半导体材料，因其出色的电学性能和潜在的应用前景受到广泛关注。本文详细介绍了氧化镓的物理特性、四大主流技术路线及其商业化优劣，并探讨了国内外产业格局和技术站位。预计在未来几年内，氧化镓将在特定领域实现快速渗透，尤其是在成本敏感和可靠性要求较低的市场中。尽管面临技术和可靠性方面的挑战，氧化镓仍有潜力成为下一代功率半导体的关键材料。

  半导体产业研究

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  03/23 09:49

  氧化镓 第四代半导体材料

  
• 氧化镓再迎突破：名古屋大学首次实现氧化镓硅基外延生长

  在 2026年日本应用物理学会春季会议 上，来自名古屋大学低温等离子体科学中心的研究团队联合大学孵化企业 NU-Rei Co Ltd，公布了氧化镓（Ga₂O₃）材料生长技术的六项重要进展。其中最受关注的成果是首次在硅衬底上实现氧化镓薄膜的外延生长，为降低器件成本并改善散热性能提供了新的技术路径。 氧化镓是一种具有超宽禁带的半导体材料，在理论上可实现更高耐压功率器件，同时其原材料储量相对丰富、成本较

  DT半导体

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  03/19 22:47

  氧化镓
• 首次打通！我国氧化镓全产业链迈入器件验证阶段

  杭州光机所孵育企业富加镓业联合上海功成半导体科技有限公司，围绕第四代半导体氧化镓的产业化关键技术，开展“材料—器件—应用”全产业链协同攻关，目前项目已推进至器件验证阶段。这一实践被认为是我国在氧化镓领域首次尝试打通全产业链，对推动超宽禁带半导体从研发走向应用具有标志性意义。 此次技术攻关紧密契合《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》中关于“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓

  DT半导体

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  03/19 22:44

  氧化镓
• 超宽禁带半导体突围战：能源革命的“高压”引擎

  当全球能源转型进入深水区，电力电子正面临一场新的革命——硅基器件的物理极限已成为能效提升的硬约束。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）崭露头角之际，一个更具颠覆性的选手——氧化镓（Ga₂O₃）悄然登场。

  安富利

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  03/18 13:17

  SiC GaN
• 8英寸氧化镓同质外延，镓仁半导体再破纪录

  杭州镓仁半导体公司在氧化镓材料领域取得重大进展，成功实现了高质量8英寸氧化镓同质外延生长，相关指标达到国际领先水平。外延层厚度超过10μm，载流子浓度分布适于高压功率器件设计，为高耐压氧化镓功率器件奠定材料基础。此技术突破有助于推动氧化镓在新能源汽车、电网设备等多个领域的应用，加速超宽禁带半导体的发展。

  DT半导体

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  03/18 11:08

  氧化镓
• 第四代半导体突围：中国氧化镓技术“全链条”破局

  半导体产业摩尔定律正逐渐逼近物理极限，寻找新材料成为延续算力与能效革命的重要选择。如果说碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是当下功率半导体领域“宠儿”，那么氧化镓则是正在冉冉升起的“第四代半导体”新星。

  化合物半导体市场

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  02/25 10:16

  氧化镓 第四代半导体材料

  
• 【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望

  在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教

  点点手机版网页打不开编辑

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  2025/04/25

  电力电子 宽禁带半导体

  
• 第四代半导体，破晓时刻

  3nm，是半导体市场的 “热搜关键词”。光刻机，是众人争抢的 “香饽饽”。第三代半导体，一出现就在资本市场掀起波澜。而现在，这类技术的突破，给半导体赛道开启新一轮热潮。

  半导体产业纵横

  1154

  2025/04/08

  半导体材料 氧化镓

  

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