氮化镓

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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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  • VisIC公司CEO:特斯拉/现代GaN汽车即将发布
    VisIC宣布现代汽车计划在2029年量产GaN车型,特斯拉演示车将在2026年进行路测。VisIC已完成B轮融资,获得现代汽车的战略投资,致力于在电动汽车与AI数据中心领域持续发力。公司已通过现代汽车的长期验证,计划进一步拓展中国市场,特别是电动汽车逆变器领域。未来,VisIC还将瞄准数据中心电源市场,利用其独特技术优势,提供高效、低成本的氮化镓解决方案。
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  • 全球数十家企业布局氮化镓大市场
    氮化镓器件在全球范围内得到广泛应用,尤其在适配器、电源模块、服务器电源和车载电源等领域展现出巨大潜力。本文介绍了全球26家高压氮化镓企业,涵盖Fabless和IDM模式,分布在中国、美国、日本和其他欧洲国家。这些企业主要集中在长三角和珠三角地区,展示了氮化镓产业的区域集中趋势。文章还详细介绍了每家企业的特点和发展方向,为工程师提供了宝贵的参考资料。
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    01/19 11:39
  • GaN融资密集落地,3家企业业务提速
    氮化镓赛道热度攀升,新微半导体母公司完成25.7亿元战略融资,助力业务增长;能讯半导体完成D轮融资,实现多项技术与产能突破;康讯半导体获得数千万级天使轮融资,加速氮化镓点点taptap安卓商业化进程。
  • 英诺赛科:GaN点点taptap安卓累计出货20亿颗
    英诺赛科氮化镓功率点点taptap安卓出货量达到20亿颗,同比增长显著,尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展,与多家知名企业达成合作,推动氮化镓技术广泛应用。
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  • 氮化镓衬底材料厂商IPO申请获受理
    2025年12月31日,上海证券交易所官网公示信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司(简称“中图科技”)首次公开发行股票并在科创板上市的申请已正式获受理,保荐机构为国泰海通证券股份有限公司,审计机构为天健会计师事务所(特殊普通合伙),律师事务所为北京市中伦律师事务所。
  • 氮化镓(GaN):重塑电力电子的 “宽禁带革命”
    氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体材料,因其出色的性能优势,正在取代传统的硅材料,成为电力电子领域的“金钥匙”。氮化镓的禁带宽度约为硅的3倍,使其具备更高的耐压性、热稳定性和开关速度,适用于快充、新能源汽车、数据中心等高要求领域。自20世纪80年代以来,氮化镓经历了从实验室到产业化的快速发展,特别是近年来在消费电子、新能源汽车和数据中心等领域的广泛应用,推动了行业的变革。 氮化镓的主要优点包括: 1. **高耐压性**:氮化镓器件能在更高的电压下工作,且导电层更薄,导通电阻更低。 2. **卓越的热稳定性**:工作温度可达200°C以上,显著优于硅器件。 3. **高速开关能力**:电子迁移率高,开关速度快,能量损耗低。 氮化镓技术已经取得了重大突破,并形成了多个关键发展阶段: 1. **基础研究期**:1980年代,氮化镓薄膜生长和p型掺杂技术取得突破,成功研制出蓝色发光二极管(LED)。 2. **技术突破期**:2000年代初,GaN-on-Si异质外延技术取得进展,降低了氮化镓器件的生产成本。 3. **产业爆发期**:2010年代,增强型氮化镓技术取得突破,解决了安全性问题,推动了消费电子和民用领域的应用。 4. **技术多元化期**:2025年至今,氮化镓技术呈现出多样化的发展态势,涵盖了横向和垂直结构、通用与专用领域。 氮化镓的应用场景非常广泛,主要包括消费电子、新能源汽车、数据中心、工业与新能源、航空航天和医疗电子等领域。在全球范围内,氮化镓市场正处于快速增长阶段,预计到2030年将达到50亿美元,成为半导体产业增长最快的细分领域之一。 然而,氮化镓的可靠性仍然是制约其大规模应用的重要因素。针对电荷陷阱、热管理和栅极泄漏等问题,科研机构和企业正在进行技术攻关,以提升器件的可靠性。未来十年,随着技术的进步和成本的下降,氮化镓将从高端领域走向大众市场,成为推动全球能源转换效率革命的关键技术。
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    2025/12/24
    氮化镓(GaN):重塑电力电子的 “宽禁带革命”
  • 两家头部大厂合作开发下一代氮化镓功率器件
    安森美与格芯签署合作协定,联手开发基于格芯eMode GaN-on-silicon制程的下一代氮化镓功率元件,预计2026年上半年提供样品。该技术应用于AI资料中心、电动汽车、能源基础设施及工业等领域,有望大幅提升能效与系统尺寸。安森美通过整合其硅基技术和格芯的GaN技术,加速SiC/GaN产能扩展与IDM供应链策略,同时格芯通过战略收购与技术授权,强化在全球供应链中的地位。
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  • 又一半导体巨头押注GaN
    安森美在氮化镓领域频繁合作,与格罗方德和英诺赛科分别在中低压和中高压氮化镓功率器件上展开合作,旨在扩大生产规模和产品组合,应对快速增长的市场需求。安森美此举不仅为其自身带来发展机遇,还将推动全球氮化镓产业格局的变化,促进市场竞争和技术进步。
    又一半导体巨头押注GaN
  • GaN引领机器人革新,6大企业齐推技术落地
    氮化镓技术正在推动机器人领域的产业升级,多家企业如步科股份、求远电子、固高伺创、科沃斯、世强硬创、新工绿氢等纷纷加大研发投入并推出相关产品。这些企业在机器人关节驱动、伺服电机、关节电机驱动等方面利用氮化镓技术提升了性能和效率,例如步科股份的氮化镓驱动技术优化了机器人关节驱动系统,求远电子的JMD101方案提高了关节电机驱动性能,而固高伺创的GSFDGaN驱动器则解决了伺服驱动系统中的应用难题。
    GaN引领机器人革新,6大企业齐推技术落地
  • 关闭晶圆厂,巨头撤场,GaN市场大动荡?
    12月10日,恩智浦一纸关厂公告,叠加此前台积电的代工停摆,给火热的氮化镓赛道浇了一盆冷水。然而,这种“巨头离场”的表象之下,实则暗流涌动:英诺赛科在港交所敲钟上市并大幅扩产,全球功率霸主英飞凌砸下50亿欧元扩建马来西亚超级工厂,德州仪器(TI)试图用12英寸产线将成本杀至地板价,MACOM则吞下Wolfspeed的资产筑起军工堡垒。旧时代的帷幕刚刚落下,新巨头的角斗场才真正开启。
    关闭晶圆厂,巨头撤场,GaN市场大动荡?
  • 氮化镓功率放大器核心技术综述:发展与未来展望
    氮化镓(GaN)功率放大器技术在过去几年取得了显著进步,尤其是在支持5G/6G和毫米波雷达等高端应用方面。本文综述了氮化镓集成电路功率放大器的发展现状与未来展望,涵盖了氮化镓晶体管的进展、高性能功率放大器架构、线性化技术和回退效率提升等方面的内容。 首先,氮化镓晶体管因其出色的输出功率密度和高工作电压能力而备受关注。最新的工艺已经实现了栅长20纳米、截止频率450吉赫兹、工作电压超过600伏的晶体管。此外,氮化镓功率放大器架构也在不断发展,包括电抗匹配功率放大器、非均匀分布式放大器等,以适应不同应用场景的需求。 其次,为了提高功率放大器的线性度和回退效率,研究人员开发了多种线性化技术,如多尔蒂功率放大器和可重构功率放大器。这些技术可以有效降低非线性失真,提高功率放大器的整体性能。 最后,本文还展望了氮化镓晶体管和电路架构的潜在改进方向,包括缩小晶体管栅长以实现更高频率工作、提高击穿电压以提升功率密度、解决氮化镓工艺的集成能力和电路设计难题等。 总的来说,氮化镓功率放大器技术正处于快速发展阶段,有望在未来进一步推动无线通信和其他高功率应用的进步。
    氮化镓功率放大器核心技术综述:发展与未来展望
  • 顺利装车,新一代氮化镓OBC落地长安汽车
    12月9日,苏州汇川联合动力系统股份有限公司(简称:联合动力)与英诺赛科共同宣布,双方共同研发的新一代6.6kW氮化镓(GaN)车载充电系统(OBC)已成功在长安汽车量产车型上装车应用。
  • 借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限
    太阳能系统的发展势头越来越强,光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能,也能提升整个系统的效率,此外,在保证缩小系统尺寸的同时,还能降低热损耗、易于安装和降低成本。 比较 GaN、SiC 和 IGBT GaN 凭
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  • Xiaomi Gallium Nitride Charger Teardown
    NOTE:Click here for the Chinese version. Remember Xiaomi's first-generation compact 33W GaN charger? With its small size and powerful performance, its biggest highlight was increasing the power densit
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    2025/12/10
    Xiaomi Gallium Nitride Charger Teardown
  • 暴力拆解小米古董氮化镓充电器:超越苹果
    还记得小米初代的迷你33W氮化镓充电器吗?体积小巧、性能碉堡,最大的亮点在于将功率密度提升至1.05W/cm³,几乎只有苹果当时30W充电器的一半大小,却能提供33W的快充。产品采用方块造型设计,外壳为白色亮面处理,使得整体外观简洁而现代。充电器腰身上印有“xiaomi 33W”标识,采用固定式国标插脚,输出端配备单个USB-C输出接口。不仅支持小米自家私有快充协议,还全面兼容USB PD、PPS
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  • 美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
    美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利1。此外,在初步裁定中,美国国际贸易委员会确认,英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力2。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布,若这项初步裁决最终获得
    美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
  • 事关8英寸!2家GaN企业实现新突破
    致能半导体实现8英寸蓝宝石基氮化镓器件量产,新微半导体发布低压GaN工艺平台,多家氮化镓企业展示技术进展与合作机会。
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  • 累计出货1亿颗!氮化镓电源点点taptap安卓厂商启动IPO
    11月21日,东科半导体在安徽证监局办理了IPO辅导备案登记,正式启动了在A股市场的上市进程,辅导机构为东方证券,随后在同月23日被证监会官网列入已启动IPO的企业名单。此举标志着公司从高速成长的技术创新企业向资本市场迈出关键一步。
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  • 安森美垂直氮化镓(vGaN) 技术10大高频问答
    安森美凭借垂直氮化镓(vGaN)技术引领电力电子领域的变革,提供高能效系统,革新性能与可靠性标准。垂直GaN因其独特的垂直电流路径,实现了更高的电流密度和工作电压,优于横向GaN、硅和碳化硅器件。安森美率先实现规模化量产,拥有众多专利和专业制造设施,确保卓越性能和可靠性。垂直GaN技术对于电动汽车、可再生能源和人工智能数据中心的发展至关重要,有助于提升系统能效、缩小体积和降低成本。
    安森美垂直氮化镓(vGaN) 技术10大高频问答
  • ST GaN/SiC 宽禁带器件:电机控制(家电 / 工业)高频高效小型化核心方案
    ST 的 GaN(氮化镓)与 SiC(碳化硅)宽禁带器件,以 “高频低损耗、高效节能、小型化降本” 为核心价值,精准适配家用电器(冰箱、洗衣机、空调)与工业电机驱动(伺服、高压电机)场景,通过提升 PWM 频率、降低开关损耗,实现效率提升 4%+、元件体积缩减 87%+、功率密度翻倍,成为电机控制升级的关键支撑。

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